SI8499DB-T2-E1 دیتاشیت

SI8499DB-T2-E1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI8499DB-T2-E1
حجم فایل 95.687 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SI8499DB-T2-E1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI8499DB-T2-E1
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: MicroFoot-7
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه